Данный репозиторий содержит составленный отчет и материалы к лабораторной работе на кафедре квантовой радиофизики и электроники Университета им.М.Ю. Лобачевского.
Выдержка из методических материалов к работе:
Физика контактных явлений служит основой разработки важнейших структурных элементов подавляющего большинства приборов современной микроэлектроники. <...> При этом речь пойдет о контактах внутри одного и того же полупроводникового кристалла между областями с разным типом проводимости. Физические свойства подобных контактов ши- роко используются для выпрямления тока и лежат в основе работы базовых элементов целого ряда полупроводниковых сверхвысокочастотных устройств и быстродействующих интегральных схем, а также приборов полупроводни- ковой оптоэлектроники.
Работу выполнили студенты 4-го курса фундаментальной радиофизики радиофизического факультета:
- Платонова М.В.
- Сарафанов Ф.Г.
Disclaimer: Авторы не несут ответственности за некорректные формулировки, выводы, результаты и прочее, повлекшее за собой не сдачу, или неудовлетворительный результат сданной работы. Материалы, приведенные выше, предназначены для ознакомления.
Отчет набран в издательской системе LaTeX. Основной файл отчета находится в корне репозитория, и имеет расширение .pdf.
Репозиторий имеет следующую структуру:
- data - Содержит набор экспериментальных данных и протоколов если такие необходимы
- fig - Содержит изображения (схемы, графики, фотографии) (png, jpeg и др.).
- text - Содержит преамбулу для основного файла верстки, а также титульный лист.